简介： 本发明涉及一种半导体装置。在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。