简介:
根据本发明的双重管结构流动池装置的特征在于包括:包括第一流路形成部,连接于介质流入部,以供流动介质流入,并且所述第一流路形成部形成有第一流路部,以供流动介质流动;第二流路形成部,以与所述第一流路部连通的方式形成有第二流路部,并且所述第二流路形成部连接于介质排出部,以使所述第二流路部的流动介质排出;以及气泡排出部,连接于所述第一流路形成部,以排出混合在所述第一流路部的流动介质中的气泡。根据本发明,高温的流动介质在双重管结构流动池装置中流动,流动介质的波长被光吸收,所以在实际的半导体工序中使用的条件下测量流动介质的浓度,无需为了提高流动介质的检测灵敏度而对流动介质分多次进行化学处理。
根据本发明的双重管结构流动池装置的特征在于包括:包括第一流路形成部,连接于介质流入部,以供流动介质流入,并且所述第一流路形成部形成有第一流路部,以供流动介质流动;第二流路形成部,以与所述第一流路部连通的方式形成有第二流路部,并且所述第二流路形成部连接于介质排出部,以使所述第二流路部的流动介质排出;以及气泡排出部,连接于所述第一流路形成部,以排出混合在所述第一流路部的流动介质中的气泡。根据本发明,高温的流动介质在双重管结构流动池装置中流动,流动介质的波长被光吸收,所以在实际的半导体工序中使用的条件下测量流动介质的浓度,无需为了提高流动介质的检测灵敏度而对流动介质分多次进行化学处理。