简介： 半导体刻蚀工艺是一种通过物理化学反应来移除基板表面物质的工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀两大类。由于刻蚀工艺对机台设备的要求相对较低，工艺也比较简单，所以在半导体加工行业中得到了广泛地应用。但是，如何控制湿法刻蚀中的刻蚀速率一直是行业内公认的技术难点。本发明提供的基板刻蚀装置具有厚度检测模块，通过测量基板的厚度来调节刻蚀速率，达到了很好的效果。