简介： 本申请公开了一种半导体的加工方法，包括以下步骤：（1）晶圆处理制程，先将晶圆适当清洗，再进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入和金属溅镀，最后完成数层电路及元件加工与制作；（2）晶圆针测制程，用针测仪对晶圆的每个晶粒检测其电气特性；（3）构装，将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的引接线端与基座底部伸出的插脚连接，封胶，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死；（4）测试制程，将封装后的芯片置于测试装置的模拟环境下测试其电气特性，包括消耗功率、运行速度和耐压度，经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。