简介： 本发明提供了一种太阳能电池硅片生产过程中的低压扩散工艺，属于太阳能电池生产技术领域。它解决了现有的太阳能电池硅片生产过程中硅片表面扩散不均匀等技术问题。本低压扩散工艺包括以下步骤：a、抽真空：将硅片放置到扩散炉的反应腔室，使用真空泵将扩散炉的反应腔室抽成50?mbar～150mbar的真空状态；b、充气体:将少量氮气与三氯氧磷冲入扩散炉的反应腔室内；c、低压扩散：保持反应腔室内压力不变，低压扩散时间为700S～900S；d、检测：检测低压扩散结果，使硅片表面方块电阻80Ω～120Ω／口、均匀性要求±3%以内。本发明中的工艺具有扩散均匀性好、化学品和特气损耗大幅减少、维护周期长等优点。