简介： 本发明公开了一种应用于多芯片T/R组件封装壳体的高硅铝复合材料的镀金方法，该方法的前处理按常规铝合金电镀二次浸锌处理方法分为清洗除油、碱蚀、出光、一次浸锌、退锌和二次浸锌六个步骤；之后的操作步骤如下：1.在化学镀镍液中预镀化学镍；2.按常规镀镍方法第一次镀镍，镍层厚度2~3微米；3.时效处理；4.活化处理；5.按常规镀镍方法第二次镀镍，镍层厚度2~3微米；6.以纯金板或铂金钛网作为阳极，高硅铝复合材料为阴极，按常规镀纯金的方法，金层厚度2~3微米；7.镀层结合力检测。10倍放大镜下观察镀层无起皮鼓泡现象，镀层结合力很好。