简介： 本发明提供一种新型MRAM中铜互联上底电极的制备方法，包括：提供一基底，所述基底包括依次堆叠设置的金属互联层、第一阻挡层以及介电层，在所述第一阻挡层及介电层中形成有底部通孔，所述底部通孔与所述金属互联层相连；在所述基底表面依次沉积第二阻挡层和铜层，所述铜层充满所述底部通孔；以所述第二阻挡层作为抛光终点，对所述铜层进行化学机械抛光，并在检测到所述第二阻挡层后进行过抛光，以完全去除所述第二阻挡层之上的铜层；在抛光后的界面上沉积底电极金属层；图案化所述底电极金属层，得到MRAM底电极。本发明能够简化并彻底颠覆现有大马士革铜的化学机械抛光工艺，提高生产效率并降低工艺稳定性风险。