简介： 本发明公开了一种MBE外延片生产方法，包括如下步骤：步骤S1、衬底处理、步骤S2、生长介质层、步骤S3、热化学处理、步骤S4、生长氮化物润湿层、步骤S5、依次生长AlGaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN MQWs量子阱层和p‑GaN层、步骤S6、检测合格后，包装。本发明公开的MBE外延片生产方法工艺简单，操作控制方便，耗能低，对设备依赖性小，适合工业化大规模生产；通过该生产方法制成的MBE外延片表面质量好、缺陷少，衬底易去除，电化学性能优异。