简介： 本发明提供了一种硼掺杂纳米金刚石薄膜,可按以下方法制得:采用化学气相沉积方法,在单晶硅衬底上制备硼掺杂纳米金刚石薄膜,并将薄膜在800~1200℃下真空退火30~60分钟,即得所述硼掺杂纳米金刚石薄膜。本发明使用真空退火方法,使聚集在纳米金刚石薄膜的晶界上的硼原子扩散到纳米金刚石晶粒中,并使晶界上的反式聚乙炔的量大大减少,有效地提高了硼掺杂纳米金刚石薄膜的p型导电性能和电化学性能。本发明对实现硼掺杂纳米金刚石薄膜在纳米电子器件及水处理和重金属检测等电化学领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。