简介:
本发明公开了一种石墨烯(GR)-类水滑石片(LDH)-石墨相氮化碳(g-C3N4)复合材料固定蛋白修饰电极及其制备方法和应用。先将剥离类水滑石片与带负电的剥离氧化石墨烯纳米片复合,再与三聚氰胺混合焙烧后加水复原,制备GR-LDH-g-C3N4杂化物;采用滴涂法将GR-LDH-g-C3N4与Hb的混合液滴在离子液体修饰碳糊电极上,制备了GR-LDH-g-C3N4复合材料固定蛋白修饰电极。本发明充分发挥了凝胶法与整合合并分层法的优势,增大了杂化材料的比表面积,导电性与生物相容性,抑制了GR片层的重新堆叠;焙烧法将g-C3N4生长在GR片层表面,再次增大了杂化材料的比表面积,提高了电化学反应过程的电子传递速率。构筑的基于CTS/GR-LDH-g-C3N4-Hb复合膜的第三代三氯乙酸传感器,具有检测限低,检测范围宽和米氏常数小等优点。
本发明公开了一种
石墨烯(GR)-类水滑石片(LDH)-石墨相氮化碳(g-C3N4)
复合材料固定蛋白修饰电极及其制备方法和应用。先将剥离类水滑石片与带负电的剥离氧化石墨烯纳米片复合,再与三聚氰胺混合焙烧后加水复原,制备GR-LDH-g-C3N4杂化物;采用滴涂法将GR-LDH-g-C3N4与Hb的混合液滴在离子液体修饰碳糊电极上,制备了GR-LDH-g-C3N4复合材料固定蛋白修饰电极。本发明充分发挥了凝胶法与整合合并分层法的优势,增大了杂化材料的比表面积,导电性与生物相容性,抑制了GR片层的重新堆叠;焙烧法将g-C3N4生长在GR片层表面,再次增大了杂化材料的比表面积,提高了
电化学反应过程的电子传递速率。构筑的基于CTS/GR-LDH-g-C3N4-Hb复合膜的第三代三氯乙酸
传感器,具有检测限低,检测范围宽和米氏常数小等优点。