简介： 本发明提供一种微型金刚石阵列电极及其制备方法。包括：在绝缘层上制备钽金属层；在钽金属层上制备氮化硅保护层并进行第一图形化；在氮化硅保护层上制备二氧化硅牺牲层并进行第二图形化；在二氧化硅牺牲层上制备金刚石薄膜层并进行第三图形化。本发明采用MEMS技术结合二氧化硅牺牲层的图形化处理将BDD薄膜加工成超微电极阵列，进而提高BDD电极在电化学检测中的响应电流密度、提高信噪比和降低检测限。控制电极间距与其特征尺寸之比大于10，使得电极表面的离子扩散以非线性扩散为主，具有传质速度快、电流密度高和欧姆压降小等特点，在提高电化学检测的响应电流、提高信噪比和降低检测限方面具有独特的优势。