简介： 本发明涉及一种形成钛/氮化钛(Ti/TiN)阻挡层的方法,首先提供一半导体衬底,且半导体衬底上包括至少一导电层,接着进行一化学汽相沉积(CVD)工艺,于导电层上形成一Ti/TiN阻挡层,随后进行一检测程序。若检测出Ti/TiN阻挡层中包括微粒,则进行一重作工艺。