简介： 本发明是关于一种监控晶圆缺陷的方法。该方法是首先提供一晶圆,该晶圆上存在有一缺陷,接着进行一化学处理步骤,以扩大晶圆上的缺陷,之后在晶圆上形成一共形材料层,然后使用扫描仪器找出晶圆上的缺陷。本发明因为采用化学处理步骤,以扩大晶圆上的缺陷处,因此可以彰显晶圆上的缺陷处,突破了现有的扫描仪器的侦测极限,能够及早反应出产品上小于奈米级以下的缺陷,不需额外添购昂贵的扫描仪器,即可达到比原先只利用扫描仪器例如是亮场检知器(Bright field inspector)更好的效果。