多孔CoSn(OH)6纳米立方体的制备方法
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多孔CoSn(OH)6纳米立方体的制备方法
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简介: 本发明公开了一种多孔CoSn(OH)6纳米立方体的制备方法,采用一步水热法制备尺寸较小、多孔的CoSn(OH)6纳米立方体,该材料具有独特的形貌、大量的纳米孔隙,高的比表面积,良好的电化学性质,本发明属于材料制备及应用技术领域,采用水热法,以一定比率的钴源和锡源为反应物,以一定浓度的氢氧化钠溶液调节溶液pH,以适量的二水合柠檬酸三钠作为形貌调节剂,以去离子水为溶剂,在一定反应温度下,制得颗粒尺寸小于130纳米的多孔CoSn(OH)6纳米立方体,该纳米材料具有较多的活性位点、较高的比表面积和导电率,结合循环伏安(CV)曲线和恒电流充放电(GCD)图,分析计算得到测试电流密度为1A/g时,比电容值为594 F/g,因此制备得到的多孔CoSn(OH)6纳米立方体具有电容器储能放电方面的应用潜力。
本发明公开了一种多孔CoSn(OH)6纳米立方体的制备方法,采用一步水热法制备尺寸较小、多孔的CoSn(OH)6纳米立方体,该材料具有独特的形貌、大量的纳米孔隙,高的比表面积,良好的电化学性质,本发明属于材料制备及应用技术领域,采用水热法,以一定比率的源和源为反应物,以一定浓度的氢氧化钠溶液调节溶液pH,以适量的二水合柠檬酸三钠作为形貌调节剂,以去离子水为溶剂,在一定反应温度下,制得颗粒尺寸小于130纳米的多孔CoSn(OH)6纳米立方体,该纳米材料具有较多的活性位点、较高的比表面积和导电率,结合循环伏安(CV)曲线和恒电流充放电(GCD)图,分析计算得到测试电流密度为1A/g时,比电容值为594 F/g,因此制备得到的多孔CoSn(OH)6纳米立方体具有电容器储能放电方面的应用潜力。
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标签:化学分析
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