简介： 本发明公开了一种调整CMP(化学机械抛光)后晶圆膜厚均匀性的方法，调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法包括：提供一待抛光晶圆；对晶圆进行CMP制程；在晶圆上取多个测量点，多个测量点在晶圆上阵列排布；测量每个测量点处晶圆的膜厚值；在晶圆上以晶圆的圆心为原点建立坐标系，其中每个测量点在坐标系内的横坐标为X，纵坐标为Y；根据横纵坐标绘制统计图，每个测量点在统计图中的纵坐标为对应测量点的膜厚值，每个测量点在统计图中的横坐标为观察分析统计图中曲线轮廓，并调整对晶圆的各区的抛光压力。根据本发明实施例的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，具有便于控制抛光压力、晶圆表面厚度均匀性好等优点。