简介： 本发明公开了一种半导体非球面加工方法，其包括以下步骤：1）对待加工的非球面进行分析；2）根据MRP，结合工作函数，确定出数控小磨头的工作参数，所述MRP为化学试剂在待加工非球面的半导体材料上的去除率；3）将半导体材料铣磨好最接近球面，然后固定在非球面数控加工中心上，将工作参数输入到非球面数控加工中心，对半导体材料进行抛光；4）一个周期抛光结束后，对半导体非球面进行检测，将检测数据反馈给非球面数控加工中心，重复步骤2、3、4直到半导体非球面的面形精度达标。本发明公实现了对半导体非球面的面形高精度高光洁度的抛光。