简介： 本发明涉及一种应用于大电流传感器的氧化铅掺杂石英光纤的制备方法，属光纤技术领域。本发明采用改进的化学气相沉积法(MCVD)制棒机上沉积掺杂少量高折射率的GeO2芯棒，在芯棒上利用直接纳米粒子沉积法，将氧化铅纳米粒子均匀沉积在含GeO2的芯棒表面，然后采用MCVD技术制备包层材料，最后高温缩棒得到光纤预制棒并进行光纤拉制。本发明中的一种应用于大电流传感器的氧化铅掺杂石英光纤结构简单、合理，具有均一性好、分散性高、掺杂浓度高、纳米量级掺杂及Verdet常数高等优点，主要应用于光纤大电流传感器，光隔离器，及抗辐射光纤传感器、非线性光学以及磁光开关，磁光调制器等其他磁光器件的应用。