简介： 本发明提供了一种空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法，所述空腔形成方法在硅衬底中形成N阱，在N阱包围的硅衬底中形成N型掺杂的网格结构，并进行电化学腐蚀形成多孔硅层，再通过外延工艺使多孔硅层发生重构形成封闭的空腔。本发明无需通过长时间的湿法腐蚀或干法刻蚀工艺来形成空腔，并且空腔的形成是在金属淀积之前，不存在常规湿法腐蚀硅衬底形成空腔的工艺中对金属的腐蚀问题，此外，该空腔的形成方法比较简单，可与常规CMOS工艺兼容，适于规模化生产。