简介： 本发明公开了一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路，其传感器的前驱体采用化学方法制备的三氧化钨纳米材料，然后在表面上修饰氧化铜纳米颗粒的复合结构。气敏元件采用旁热式结构，该器件在55℃时，其灵敏度为105，并具有很好的选择性。通过单脉冲调制电压，响应恢复时间可以控制在65秒以内。本发明的传感器具有高灵密度、高选择性、并在低温下实现快速的响应、恢复。