简介： 本发明公开了一种补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器芯片及其制备方法，包括在高导Si衬底上，采用化学气相沉积工艺外延生长硅掺磷吸收层，掺杂磷离子；在吸收层上通过补偿掺杂工艺外延生长高电阻率阻挡层，补偿掺杂硼离子；再通过光刻、离子注入、快速热退火、钝化、湿法腐蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极。本发明的优点在于：采用补偿掺杂工艺，在外延生长阻挡层时，引入补偿离子硼，提高了阻挡层电阻率，同时又易于控制阻挡层厚度，从而能有效降低暗电流，抑制噪声，提高灵敏度；硼离子的引入可通过气源开关得到很好的控制，该方法可很好地与传统外延工艺兼容，具有简单可行、操作方便等优点。