简介： 一种半导体处理设备及其操作方法。该方法可以包括测量半导体晶片的至少一个性质并且基于至少一个性质确定用于处理半导体晶片的处理方法。可以基于确定的处理方法使用多个化学机械抛光(CMP)模块处理半导体晶片，其中处理方法包括用于由多个CMP模块中的每个CMP模块使用的至少一个参数的值。测量可以由内建度量设备原位进行。处理方法和与处理方法关联的各种参数可以由半导体处理设备的控制器确定。