简介： 本发明公开了一种用于室温的超快探测氮氧化物气体的气敏元件的制备方法，先将p型单晶硅基片衬底清洗干净，采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的单晶硅基片的抛光表面制备多孔硅，再将制得的多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，采用金属铂作为靶材，以氩气作为工作气体，在多孔硅表面沉积一对铂电极，制成氮氧化物气体的气敏元件。本发明的多孔硅兼具高孔隙率和孔道有序化的优点，提供了一种可在室温工作且对ppm级氮氧化物气体实现超快探测的气敏元件的制备方法。