简介： 本申请公开了一种新型的长波红外探测器，涉及半导体领域。本申请是一种基于平面结构的pπMp型锑化物二类超晶格红外探测器的新型结构，InAs/GaSb超晶格结构作为接触层和吸收层，InAs/GaSb/AlSb/GaSb超晶格结构作为势垒层，所述接触层、所述吸收层和所述势垒层均为p型区域。本申请对势垒层材料进行了筛选，并对器件各层进行优化，在保证量子效率的前提下有效抑制了暗电流水平，保证了器件的工作性能。本申请含有T2SL结构体系可以采用分子束外延和金属有机物化学沉积等外延生长工具制备，制备工艺简单。