简介:
本发明针对现有技术中在制备非制冷红外探测器中的热敏薄膜的过程中,PECVD方法的工艺窗口狭窄、形成热敏薄膜的过程中易导致工艺波动的缺陷,提供了一种非晶硅热敏薄膜的制备方法以及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法,能够提供宽的工艺窗口并克服热敏薄膜制备过程中的工艺波动。一种非晶硅热敏薄膜的制备方法,该方法包括:将晶圆放入等离子增强化学气相淀积反应腔中,对所述晶圆进行本征非晶硅薄膜淀积;对淀积后的本征非晶硅薄膜进行注入掺杂。
本发明针对现有技术中在制备非制冷红外探测器中的热敏薄膜的过程中,PECVD方法的工艺窗口狭窄、形成热敏薄膜的过程中易导致工艺波动的缺陷,提供了一种非晶硅热敏薄膜的制备方法以及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法,能够提供宽的工艺窗口并克服热敏薄膜制备过程中的工艺波动。一种非晶硅热敏薄膜的制备方法,该方法包括:将晶圆放入等离子增强化学气相淀积反应腔中,对所述晶圆进行本征非晶硅薄膜淀积;对淀积后的本征非晶硅薄膜进行注入掺杂。