简介:
本发明公开了一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺,包括(1)CdZnTe晶体的表面处理、(2)化学腐蚀、(3)电极制备、(4)表面钝化、(5)清洗、(6)封装等工艺步骤。该发明提供了一种工艺简单、实用,制备出分辨率高的电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺。
本发明公开了一种电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺,包括(1)CdZnTe晶体的表面处理、(2)化学腐蚀、(3)电极制备、(4)表面钝化、(5)清洗、(6)封装等工艺步骤。该发明提供了一种工艺简单、实用,制备出分辨率高的电容弗里希栅CdZnTe探测器的制备工艺。