简介： 本发明提供了一种SnSe₂/H‑TiO₂异质结光电探测器件，包括H‑TiO₂纳米管阵列层和覆盖于H‑TiO₂纳米管阵列层上的SnSe₂纳米层。还提供了上述SnSe₂/H‑TiO₂异质结光电探测器件制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备不定型TiO_x纳米管阵列；(2)将不定型TiO_x纳米管阵列进行退火处理，得到TiO₂纳米管阵列；(3)以硒粉与SnCl₄·5H₂O为原料，用化学气相沉积方法，在TiO₂纳米管阵列表面沉积SnSe₂纳米层，沉积SnSe₂纳米层时同时通入氢气，将TiO₂氢化为H‑TiO₂，即得到SnSe₂/H‑TiO₂异质结。本发明方法制备的SnSe₂/H‑TiO₂异质结光电器件材料具有较高的光电响应性能并且扩大了器件的探测范围，且该制备方法简单、成本低、反应条件容易控制。