简介： 本发明公开了用于监测和控制硅棒温度的系统和方法。一个示例是在化学气相沉积（CVD）过程期间监测CVD反应器中的至少一个硅棒的表面温度的方法。该方法包括捕获CVD反应器的内部的图像。该图像包括硅棒。扫描该图像以识别硅棒的左边缘和硅棒的右边缘。识别在左边缘和右边缘中间的目标区域。确定目标区域中的硅棒的温度。