简介： 本申请公开了一种工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备，属于半导体工艺技术。该方法在半导体工艺腔室闲置时，对半导体工艺腔室进行气体吹扫，且实时监测半导体工艺腔室中的异常气体浓度，得到相应的第一浓度值，异常气体浓度与潜在工艺颗粒源的浓度正相关；若第一浓度值大于所述第一阈值，则在气体吹扫的基础上，将预设气体通入半导体工艺腔室中，使得预设气体与半导体工艺腔室中的潜在工艺颗粒源发生化学反应，生成相应的反应物颗粒，且反应物颗粒在气体吹扫下进入与半导体工艺腔室连通的尾排处理器。本技术方案，可在半导体工艺处理过程中，有效清除半导体工艺腔室中的工艺颗粒，避免出现工艺颗粒超标影响产品良率的问题。