简介： 本说明书提供一种硅漂移探测器的制备方法，包括沉积步骤；所述沉积步骤包括：以四氟化锗、高阶硅烷和掺杂剂硅烷作为反应气体，采用化学气相沉积工艺在具有钝化膜的硅衬底上沉积重掺杂锗薄膜，使重掺杂锗薄膜在硅衬底的对应区域形成功能区。因为高阶硅烷能够在较低温情况下被激活而与四氟化锗反应，所以在锗薄膜形成过程中可以采用低温工艺，而低温工艺可以避免扩散工艺和离散注入工艺中的高温对硅衬底的损伤，有利于获得较高的体寿命，提高硅漂移探测器的能量分辨率。