简介： 本发明公开了一种台面型探测器表面钝化层的生长方法，其包括：在低温环境下采用等离子体化学气相沉积工艺在晶圆的台面结构表面形成SiO2钝化膜；在SiO2钝化膜上涂覆聚酰亚胺膜并对聚酰亚胺膜进行梯度固化使聚酰亚胺膜致密；在聚酰亚胺膜上旋涂光刻胶形成光刻胶层，并在光刻胶层上形成曝光区域；对曝光区域的光刻胶层进行显影处理，并对曝光区域的聚酰亚胺膜进行腐蚀，然后去除光刻胶层；对聚酰亚胺膜进行亚胺化处理以使聚酰亚胺膜固定在SiO2钝化膜表面；对暴露出的SiO2钝化膜进行腐蚀以留出电极位置。本发明能够改进台面型探测器钝化质量，有效降低器件表面漏电流，防止器件提前击穿，同时提高器件的可靠性。