简介： 本发明属于探测器芯片制造技术领域，具体为一种低表面漏电流台面型光电探测器及其制作方法，所述方法包括在外延片的顶层沉积掩膜，通过光刻工艺开出台面刻蚀窗口；采用湿法刻蚀将外延片刻蚀成外延台面，进行表面化学清洗，去除湿法刻蚀反应残留产物等；采用硫化工艺处理，钝化外延台面的侧壁表面，降低其表面态；使用六甲基二硅胺处理侧壁表面，再涂覆苯并环丁烯，形成保护层；在氮气气氛保护下，采用分布升温固化；刻蚀部分保护层，使台面的顶部裸露，根据蒸发或溅射方式在接触层上表面淀积金属膜，经剥离后形成P型电极；将背面减薄，在背面沉积增透膜；采用带胶剥离制作N电极。本发明解决台面型器件由于湿法刻蚀造成的侧壁表面钝化困难问题。