简介:
本发明公开了一种电网电晕监测器及其制备方法,包括FTO衬底,所述FTO衬底的至少一侧具有氟掺杂氧化锡层,所述氟掺杂氧化锡层上生长有GaOOH纳米柱阵列,所述GaOOH纳米柱阵列经退火后形成α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列,所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列上设置有Ti3C2/Ag纳米线复合层,所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上设置有Ag电极,所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上的Ti3C2层与所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列之间形成Ti3C2/α/β‑Ga2O3纳米柱阵列范德瓦尔斯异质结,具有三维空间异质结界面结构和日盲特性,具有优异的化学和热稳定性,耐压强,工作温度和功耗低,重复性良好,是一个具有超高响应度的自供电电网电晕监测器,可定向识别波长位于日盲波段的200‑280nm的紫外光。
本发明公开了一种电网电晕监测器及其制备方法,包括FTO衬底,所述FTO衬底的至少一侧具有氟掺杂氧化
锡层,所述氟掺杂氧化锡层上生长有GaOOH纳米柱阵列,所述GaOOH纳米柱阵列经退火后形成α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列,所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列上设置有Ti3C2/Ag纳米线复合层,所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上设置有Ag电极,所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上的Ti3C2层与所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列之间形成Ti3C2/α/β‑Ga2O3纳米柱阵列范德瓦尔斯异质结,具有三维空间异质结界面结构和日盲特性,具有优异的化学和热稳定性,耐压强,工作温度和功耗低,重复性良好,是一个具有超高响应度的自供电电网电晕监测器,可定向识别波长位于日盲波段的200‑280nm的紫外光。