简介： 本发明涉及光电探测领域，具体涉及一种日盲二维位置敏感探测器，包括电极组、氧化镓层、多晶金刚石衬底和背电极；所述第一电极、第二电极、第三电极、第四电极以及背电极均为金电极；所述背电极位于多晶金刚石衬底之下；所述的氧化镓层位于多晶金刚石衬底之上；所述电极组位于氧化镓层之上；本发明使用化学稳定性好、抗干扰能力强、高性能、高抗辐射能力、探测精确度高、光电转换能力强的宽禁带半导体材料氧化镓和金刚石制备日盲二维位置敏感探测器，从而可以实现对日盲光位置的直接探测与定位。