简介： 一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，属于红外探测技术领域。该探测器由下至上依次由背电极、重掺杂的N+型InP衬底、重掺杂的N+型InP电子传输层、未掺杂的窄禁带InSb有源区、重掺杂的P+型GaSb空穴传输层以及栅条形上电极)组成。本发明采用低压金属有机物化学气相外延技术，在重掺杂的N+型InP衬底制备相应结构，并利用磁控溅射技术制备上电极和背电极，得到的器件具有探测率高、响应速度快、工作温度高、制备工艺简单等特点，在室温条件下，归一化探测率D*为2.4×1010cm Hz1/2W‑1，可应用于航天、军事、工业、民用等领域。