简介： 本实用新型公开了一种长波III‑V族红外探测器，所述红外探测器结构包括衬底、缓冲层、吸收层和帽层；其中，所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi，所述非故意掺杂的BInAsSbBi的组分结构满足：BxIn1‑xAs1‑y‑zSbyBiz，其中，x≥0.1，0.4≤y≤0.7，0.01≤z≤0.06。本实用新型通过满足适当组分要求的BInAsSbBi材料作为吸收层来制备长波III‑V族红外探测器，获得了较好的化学稳定性，在保证耐热性的同时具有较高的吸收系数，能够保持与衬底较小的晶格失配，从而提升了探测器性能。