简介： 本发明涉及红外探测器芯片，特指一种铅盐红外探测器芯片结构及其制备方法。所述铅盐红外探测器芯片结构从下至上包括图形化衬底、铅盐化合物薄膜、钝化层和金属电极层；采用衬底预处理方式获得图形化衬底，然后在图形化衬底上通过化学沉积或者物理沉积等方法沉积铅盐薄膜；在图形化衬底上获得的铅盐薄膜表面会继承衬底上图形，从而获得表面粗化的铅盐薄膜。整个制备工艺简单、易控，制备装置简单、成本低廉，适用于批量化生产制造。