简介： 本发明提供一种测量硅片扩散长度的表面处理方法,包括如下步骤,将原生硅片在酸液中漂洗,漂洗后用去离子水清洗,去除残留漂洗液后烘干,再利用等离子体气相化学沉积法在硅片表面沉积氮化硅薄膜,将沉积了氮化硅薄膜的硅片放入烧结炉烧结,最后将烧结完的硅片冷却至室温后放入SemiLab?PV2000测试设备的样品台测试,结果SPV8、SPV6信号均明显增强,线性比LR显著增大,完全达到测试设备要求。