简介： 本发明提出了本发明提出一种g‑CN/Si异质结位置敏感探测器及其制备方法，g‑CN/Si异质结位置敏感探测器包括硅衬底和硅衬底的上沉积的g‑CN薄膜，以及g‑CN薄膜上设置有四个电极；所属制备方法包括：(1)采用化学气相沉积在Si衬底上制备g‑CN薄膜；(2)在g‑CN薄膜上通过热蒸发技术蒸镀金属层，采用紫外光刻技术去除金属层多余的金属，得到电极结构。本发明的位置敏感探测器显示出极高的位置灵敏度，可以实现对光斑位置的实时追踪测试。