简介:
本发明公开了一种薄膜型热电转换器及测量方法,涉及电学计量技 术,包括以硅片为衬底,利用低压化学气相外延方法在衬底上生长的 SiO2-Si3N4-SiO2三层薄膜夹层结构,多次磁控溅射不同材料以及多次光刻、 腐蚀制备的热偶、加热器和接触电极;其中,两个加热器并排放置在一个 热偶的两侧。本发明的薄膜型热电转换器,测量时,使交流和直流同时分 别流过两个加热器,在热偶上输出交流、直流电功率导致的温度差,直接 比较交流与直流电功率,使环境温度和温度梯度的变化对测量结果影响大 大降低。
本发明公开了一种薄膜型热电转换器及测量方法,涉及电学计量技 术,包括以硅片为衬底,利用低压化学气相外延方法在衬底上生长的 SiO2-Si3N4-SiO2三层薄膜夹层结构,多次磁控溅射不同材料以及多次光刻、 腐蚀制备的热偶、加热器和接触电极;其中,两个加热器并排放置在一个 热偶的两侧。本发明的薄膜型热电转换器,测量时,使交流和直流同时分 别流过两个加热器,在热偶上输出交流、直流电功率导致的温度差,直接 比较交流与直流电功率,使环境温度和温度梯度的变化对测量结果影响大 大降低。