简介： 本发明涉及一维硫碘化锑半导体纳米线、光电探测器及其制备方法，具体的，以碘化锑和硫化锑粉末为原料，通过化学气相输运的方法制备大量一维硫碘化锑纳米线，并制备了高性能光电探测器，其光电探测器从下到上依次为：重掺杂硅、薄层二氧化硅绝缘层、两侧金属电极以及位于两侧金属电极之间的一维硫碘化锑半导体纳米线。本发明获得的一维光电探测器具有高响应度，高开关比和高探测率等特点。由于一维纳米线的本身结构的各向异性，可将探测器拓展到偏振光探测。