简介： 本发明公开了一种制备单层过渡金属二硫化物柔性光电探测器的方法，包括如下步骤：首先以过渡金属氧化物和升华硫为原料，采用化学气相沉积法制备单层薄膜；接着采用真空镀膜法，以铜网为硬质掩膜版在PDMS‑1柔性基底上图形化金属电极；最后将单层过渡金属二硫化物薄膜从生长衬底转移到柔性基底，此过程先将单层过渡金属二硫化物转移到PMMA薄膜上，再将PMMA粘附有单层过渡金属二硫化物薄膜的那一面贴附到PDMS‑2上，溶解掉PMMA薄膜后以PDMS‑2为支撑层，通过定位转移法将单层过渡金属二硫化物薄膜转移到柔性基底PDMS‑1上。本发明光电探测器表现出良好的光敏特性，本发明拓宽了单层过渡金属二硫化物光电探测器在柔性电子设备的应用领域。