简介： 本发明提供了一种监测退火过程温度的方法，其包括通过低温化学气相沉积方式在晶圆上生长第一厚度的未掺杂的多晶硅层；以第一高温退火的方式高温氧化具有多晶硅层的晶圆；对高温氧化后的晶圆进行离子植入，并对其进行第一次退火处理；以及测量所述晶圆的电阻变化，从而获得对第一高温退火过程温度的监测。通过本方法，所用的测试晶圆可重复利用，有效地节约了成本。