简介： 本发明属于探测器阵列的制作工艺技术领域，具体涉及一种高占空比背照式GaN探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括在GaN外延片上溅射Ni/Au层；在所述Ni/Au层上采用等离子体增强化学的气相沉淀法PECVD生长SiN_x/SiO₂膜；在所述SiN_x/SiO₂膜上涂覆光刻胶层；曝光显影，采用接触式曝光模式曝光探测器GaN外延片；采用电磁耦合等离子体ICP方法刻蚀SiN_x/SiO₂膜；采用电磁耦合等离子体ICP方法刻蚀GaN层；采用氢氟酸去除SiN_x/SiO₂膜及残余光刻胶；本发明本发明具有成本低、效率高、制作工艺简单等优点，在制作背照式GaN探测器阵列的技术领域内有突出的技术优势。