简介： 本实用新型属于一种半导体敏感元件。该探测器用金属有机化合物化学汽相淀积 (mocvd)技术，在n型衬底上生长一层与衬底晶格匹 配的P型半导体材料为滤光层，然后在滤光层上再 生长一层激活层。这种探测器可广泛用于测距、夜视 仪、红外测量及科研中的高精度测量等方面。