简介： 一种清洗单元的清洗效率的侦测方法，包括：提供若干批次基底，基底表面具有凹槽，凹槽的顶部宽度大于底部宽度，对不同批次基底进行如下处理：形成覆盖基底且填充满凹槽的多晶硅材料层；对多晶硅材料层进行化学机械研磨，形成表面与基底表面齐平的多晶硅层；对研磨后的多晶硅层表面宽度进行测量，获得第一宽度；采用清洗单元对多晶硅层表面进行清洗；刻蚀多晶硅层，使多晶硅层的顶部宽度减小；对刻蚀后多晶硅层表面宽度进行测量，获得第二宽度；进行上述处理之后，按照清洗顺序，依次比较每个批次的基底所对应的第一宽度与第二宽度之间的差值；根据差值变化，判断所述清洗单元的清洗效率是否下降。上述方法可以实现对清洗单元的清洗效率的侦测。