简介： 本发明公开了一种基于二维硒化钴薄膜的室温宽光谱光电探测器及制备方法，利用双离子束溅射技术在衬底上溅射生长一定厚度的钴膜，在此基础上，以氯化钴粉末、硒粉为反应源，以氩气为载气，利用化学气相沉积法制备硒化钴薄膜。在硒化钴薄膜上设置与其欧姆接触的金属电极为源漏电极，构成二维硒化钴薄膜基光电探测器。所得的硒化钴薄膜基光电探测器在室温下首次可实现450纳米到10.6微米激光的宽光谱响应波段，其响应率高达2.58瓦/安。本发明提供了一种新型高性能二维材料基室温宽光谱光电探测器，拓展了二维硒化钴材料在光电领域及磁光领域的应用。