简介： 本申请涉及光电探测领域，具体而言，涉及一种基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法。基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器包括电解质槽、参比电极、工作电极、对电极，参比电极、工作电极、对电极的固定端均通过卡孔固定在电解质槽的盖子上，自由端均悬于电解质槽内，且不与电解质槽的底部接触，工作电极包括导电基底、MoS2层、SnS2层，MoS2层与导电基底接触，SnS2层设置于MoS2层远离导电基底的一侧，即工作电极的工作物质为SnS2/MoS2异质结。SnS2/MoS2异质结的制备步骤如下：S1，使用化学气相沉积法在导电基底上制备MoS2纳米片；S2，以步骤S1得到的生长有MoS2纳米片的导电基底为沉积基底生长的SnS2纳米片。