简介： 本发明公开了高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用，属于半导体光电器件领域。该紫外探测器由下至上包括依次层叠设置的衬底、第一电极、p型宽禁带导电薄膜、本征β‑Ga2O3薄膜耗尽层、n‑β‑Ga2O3:Sn导电薄膜、n+‑β‑Ga2O3:Sn电子收集层、MgO:Na或MgO:K薄膜钝化层和第二电极，p禁带导电薄膜的禁带宽度大于3.0eV。本发明利用化学气相沉积、金属有机物气相外延、脉冲激光沉积等真空制膜方法得到高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器，有效提高了β‑Ga2O3基异质结薄膜紫外探测器的响应度，应用在日盲波段探测方面前景广阔。