简介:
本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器,该自驱动光电探测器,由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、硒氧铋薄膜层和硅单晶基底。硒氧铋薄膜层通过旋涂法、空气退火处理、化学气相沉积、湿法转移等方法制备。测试结果表明,构建异质结极大地提高了硒氧铋基器件的光响应性能,且该器件表现出良好的自驱动光探测性能。
本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器,该自驱动光电探测器,由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、硒氧铋薄膜层和硅单晶基底。硒氧铋薄膜层通过旋涂法、空气退火处理、化学气相沉积、湿法转移等方法制备。测试结果表明,构建异质结极大地提高了硒氧铋基器件的光响应性能,且该器件表现出良好的自驱动光探测性能。