简介： 本发明一种基于二维材料Te/MoS2异质结的光探测器的制备方法，包括以下步骤：采用机械剥离或化学气相沉积制作含有二维MoS2的衬底一；制备含有二维Te的衬底二；转移二维Te形成异质结；光探测器件制备；对制备出的光探测器件进行高压退火处理；在器件制备过程中通过减小Te/MoS2异质结中Te和MoS2的层间间距，将具有典型I型能带排列结构的Te/MoS2异质结向II型能带排列结构转变，显著提高了基于二维材料Te/MoS2异质结光探测器的光探测灵敏度。